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徐建华 (1958年)

一、元流之子-法师

全面优化了元流之子法师的使用痛点:强化普攻优化为连续传导机制,提升普攻清线消耗效率;二技能新增移动施法,简化施法方式,增强探草和拉扯能力,转线、连招更安全;大招新增减速效果和初次爆发伤害,并不再被首个英雄阻挡,可吸附范围内所有敌人!
被动:效果调整:强化普攻命中敌人造成120~240(+0.24Ap)法术伤害并会向附近传导3次
二技能:效果调整:施法方式调整为移动施法
二技能:效果调整:元流之子向指定方向掷出法球,命中英雄、野怪或飞到终点时爆炸造成300(+60/Lv)(+0.6Ap)伤害和0.75秒25%(+5%/Lv)减速,随后造成50(+10/Lv)(+0.1Ap)(打击3次)持续伤害。法球可以穿透小兵提前造成爆炸伤害,2秒内连续释放会提升范围并改为造成眩晕效果
三技能:新增效果:光束可吸附周围所有敌人
三技能:效果调整:形成光束时的冲击造成250(+125/Lv)(+0.5Ap)法术伤害并额外造成0.75秒25%(+12.5%/Lv)减速,光束造成共600(+300/Lv)(+1.2Ap)法术伤害
二、元流之子-辅助
二技能:基础攻击和施法距离:100→75
元流之子通用调整
被动:迅疾效果:增加移速:3.5%~7% → 12.5~25
三、嫦娥
被动:效果调整:嫦娥在7.5~6秒内获得一次盈月之力:获得强化普攻(可存储2次),造成100~200(+0.2Ap)法术伤害和25%~50%减速效果,并回复60~120(+1%额外生命值)法力值。技能每对英雄造成一次伤害,减少1%盈月之力的冷却
一技能:效果调整:能量球初始速度略微提升,命中小兵造成全额伤害,命中英雄不再获得强化普攻
一技能:效果调整:造成8次30(+6/Lv)(+0.06Ap)法术伤害
二技能:效果调整:造成16次70(+14/Lv)(+0.14Ap)法术伤害
四、沈梦溪
二技能:移速效果:20%(+4%/Lv) → 50(+10/Lv)
三技能:冷却时间:30(-2.5/Lv) → 30(-3/Lv)
三技能:分裂猫咪炸弹数量:固定3 → 3(+1/Lv),并略微缩小了分裂炸弹的范围
三技能:基础伤害:440(+220/Lv)(+0.8Ap) ,分裂炸弹伤害减半→ 400(+200/Lv)(+0.8Ap) ,分裂炸弹伤害减半
五、程咬金

一技能:新增效果:大招持续期间,跃起落地造成0.5秒击飞,并附带4%敌方英雄最大生命的撞击伤害(对非英雄单位造成4%自身最大生命的撞击伤害)
六、廉颇
一技能:冲锋伤害:150~300(+3%额外生命)→80~160(+0.2额外Ad),并附带4%敌方英雄最大生命的撞击伤害(对非英雄单位造成4%自身最大生命的撞击伤害)
二技能:基础伤害:330~660(+1.1额外Ad)→350~700(+0.9额外Ad)
三技能:第一次锤击伤害:200~400(+5%额外生命)→220~440(+0.5额外Ad)
三技能:第二次锤击伤害:300~600(+10%额外生命)→440~880(+1.0额外Ad)
三技能:第三次锤击伤害:500~1000(+15%额外生命)→660~1320(+1.5额外Ad),并附带8%敌方英雄最大生命的撞击伤害(对非英雄单位造成8%自身最大生命的撞击伤害)
七、元歌
被动:普攻命中英雄有30%概率获得碎片和回复 → 15%~30%(随英雄等级成长)
八、云缨
被动:一段枪意伤害:55~110(+0.4Ad) → 45~90(+0.35Ad)
九、蚩奼
一技能:守御形态:两段伤害:200~400(+0.65额外Ad)→225~450(+0.7额外Ad)
一技能:攻战形态:两段伤害:225~450(+0.75额外Ad)→250~500(+0.8额外Ad)
一技能:超杀形态:两段伤害:250~500(+0.85额外Ad)→275~550(+0.9额外Ad)
二技能:守御形态:技能伤害:450~900(+1.5额外Ad)物理伤害→400~800(+1.3额外Ad)物理伤害,并附带目标4%已损生命真实伤害
二技能:攻战形态:技能伤害:475~950(+1.6额外Ad)物理伤害→425~850(+1.4额外Ad)物理伤害,并附带目标5%已损生命真实伤害
二技能:超杀形态:技能伤害:500~1000(+1.7额外Ad)物理伤害,并附带目标10%已损生命真实伤害→450~900(+1.5额外Ad)物理伤害,并附带目标6%已损生命真实伤害
十、赵云
一技能:冷却时间:8(-0.3/Lv)→7.5(-0.3/Lv)
一技能:基础伤害:350(+70/Lv)(+1.2额外Ad)→300(+60/Lv)(+1.0额外Ad)
一技能:强普额外伤害:120(+24/Lv)(+0.4额外Ad)→125(+25/Lv)(+0.4额外Ad)
二技能:冷却时间:6(-0.2/Lv)→6(-0.24/Lv)
二技能:基础伤害:185(+37/Lv)(+0.55额外Ad)→175(+35/Lv)(+0.55额外Ad)
十一、亚瑟
一技能:强化普攻新增效果:范围内无目标的情况下,空放可朝前位移一段距离

一技能:强化普攻新增功能:指定朝向空放普攻

奥古斯丁·希尔施富格尔
蜀歌行

新北市區公車795路線

3月11日讯 由于目前中东地区的局势,伊朗或将无法参加今夏举行的美加墨世界杯。在参加Talksport的连线采访时,现任伊拉克教练组成员,助教穆伦斯汀谈到了目前有关伊拉克队的最新情况。
穆伦斯汀表示:“在亚足联中,我们是排名最高的球队。那么我们就可以取代伊朗的位置(如果他们退出)。然后阿联酋可能会取代我们,与苏里南和玻利维亚之间的胜者进行比赛。
“但也有传言说,如果FIFA做出最终决定,他们可能会让(附加赛中)FIFA排名最高的球队取代伊朗,也就是意大利。你可以想一想,他们更希望谁参加世界杯?”
同时,穆伦斯汀也呼吁FIFA能够允许附加赛赛程推迟以便伊拉克能够参与。
穆伦斯汀:“(无法正常参加附加赛)我不会称之为灾难,因为真正的灾难是目前中东遭遇的情况。但这对于等待了39年的伊拉克人民来说,将是一个巨大的、巨大的失望。就我们目前的状况、团队以及我们所经历的一切而言,这本身就是一个奇迹。
" alt="伊拉克助教:有可能我们替伊朗,也有传言是FIFA排名更高的意大利" style="display: block;">
宋国公主 (后晋)

弗朗索瓦·勒克莱尔

焦伟侠

阿特蘭塔斯足球俱樂部
不是所有的酸奶,都叫唯唯倍健。不做市场的追随者,定义酸奶的纯净新高度。
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" alt="别再看同质化红海!这款“货架明星”酸奶,正成为经销商的利润王.牌!" style="display: block;">
浙江大学药学院

甘比塔

陈孙文

阿布里亞基
本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面,对该技术进行系统性解析。
一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口
当前半导体制造技术正经历关键变革:鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极(GAA)纳米带晶体管替代,中段制程(MOL)因多重图形化技术的应用,堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部,传统光学检测手段难以有效识别。
同时,先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性,集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”,此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发,成为影响良率的核心因素。
行业面临的核心矛盾在于:电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术,但传统电子束检测采用光栅扫描模式,效率远低于光学检测,无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现,为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构:PointScan 的创新逻辑
DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成,其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构,主要体现在以下三方面:
1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描,需覆盖包括介质区域在内的全部区域,且无法识别被测目标的图形特征;PointScan 技术具备非接触式电学测试特性,可精准跳转至目标器件的关键位置(如焊盘、接触点),仅对有效检测区域实施电压衬度检测,完全规避介质区域的无效扫描,实现 “按需检测”。

2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析,可精准筛选出需检测的 “关键区域”,大幅缩减检测范围:
后段制程金属 3 层通孔检测:仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测:仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测:可规避 50%-75% 的介质区域,检测面积缩减至传统方案的 10% 以下
基于上述优化,PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍,每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。
3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合,可实现跨多层版图的属性提取,包括触点类型(漏极 / 栅极)、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。
eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码,可与版图特征精准匹配,工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率,快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案,为工艺优化提供数据支撑。
三、高难度场景的应用突破
PointScan 技术的低电荷沉积特性,使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破:
背侧供电网络(BSPDN)晶圆检测
键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导,导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题;PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量,有效缓解上述问题,已完成实际应用验证。
3D DRAM检测
3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积,此前检测难度较高,DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。
DRAM 阵列短路检测
独有的可控 “充电 - 检测” 功能,可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号,使特定岛状节点呈现高亮状态,清晰识别与浮空相邻触点的短路问题,该功能为传统光栅扫描技术所不具备。
四、行业落地实践与全流程应用
自 2022 年初起,eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地,目前两套设备投入大批量生产,第三套设备处于产能爬坡阶段,应用场景覆盖半导体制造全流程:
先进逻辑芯片制造
中段制程:GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程:M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络:电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估
先进 DRAM 制造(2024-2025 年)
外围电路:栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列:基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测
技术总结
在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下,检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合,在保留电子束检测高灵敏度的基础上,实现了检测吞吐量的量级提升,同时破解了高难度场景的检测难题。
该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题,更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级,为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
" alt="DirectScan 技术解析:下一代半导体电子束检测的创新路径与应用" style="display: block;">
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